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    サージVRD 面実装型

    サージVRD 面実装型
    ※逆阻止型SMDVRD ZSDタイプのみ販売終了いたしました。

    シリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。 VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速く、その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープであることなど、 従来のサージアブソーバの抱えていた問題点を解決した、高性能高信頼性デバイスです。

    SEMITECのVRDはRoHS対応しています。

    用途

    ?通信回線、通信装置の誘導雷サージ保護
    ?静電気対策
    ?EMP対策
    ?リレー、ソレノイド等、開閉サージの保護
    ?火災検知器等のサージ保護
    ?その他、異常電圧発生時の電子回路保護

    外形寸法図

    定格

    項目 記号 定格 単位 条件
    定格電力 P 1.0 W ガラスエポキシ基板実装
    過渡許容電力 Pp 300 W 10/1000μs波形
    1200 W 1.2/50μs波形
    2000 W 8/20μs波形
    接合温度 Tj -40~150
    保存温度範囲 Tstg -40~150
    定格電圧 Vs 電気的特性に記載

    VRD(シリコンサージアブソーバ)の使い方

    【 VRDとは 】
    電気機器の誤作動や機器停止の原因となるサージ。それらを防ぐためにサージアブソーバは必要不可欠です。
    SEMITECのシリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速く、その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープである高性能高信頼性デバイスです。

    VRDはシリコンのP-N接合半導体のアバランシェ効果を利用したサージアブソーバであり、大きな特徴は、他のアブソーバ※に比べて応答速度が非常に速いことです。
    その為、通信回線、通信装置の誘導雷サージ保護や静電気対策、EMP対策、リレー、ソレノイド等、開閉サージの保護などの対策に適しています。
    電気機器に接続された電源線や通信及び信号線にサージアブソーバを設置し、サージ電圧を抑制することで電気機器を保護することができます。

    ※ガスチューブアレスタや金属酸化物系バリスタ(当社品名ゼナミック)など

    【使用回路例】
    代表的な使用回路である、誘導性負荷の開閉サージ抑制、3端子レギュレータ、通信ラインのサージ保護回路の回路例を以下に示します